1.-Características del contacto metal-semiconductor.
2.-Unión p-n en equilibrio, en régimen dinámico estacionario y conmutación.
3.-El transistor bipolar de unión. Comportamiento físico.
4.-Modelos circuitales para condiciones estáticas, dinámicas y de conmutación.
5.-Limitaciones físicas del transistor y efectos de segundo orden. Aplicación a los modelos.
6.-Transistores de efecto campo: JFET, MESFET. Modelos circuitales.
7.-Metal-aislante-semiconductor (MIS). Comportamiento dinámico. Modelo eléctrico.
8.-Modelo físico del MOSFET. Parámetros básicos. Efectos geométricos y de alto campo.
9.-Modelos circuitales del MOSFET: condiciones dinámicas, gran señal y pequeña señal.
10.-Limitaciones físicas del transistor y efectos de segundo orden. Aplicación a los modelos.
11.-Fotodetectores. Célula solar cristalina.
12.-Diodos emisores de luz. Láseres semiconductores.
13.-Otros dispositivos electrónicos de propósito especial.
BIBLIOGRAFÍA
(1) Muller R.S., Kamins T.I.: "Device Electronics for Integrated Circuits", John Wiley & Sons, 1986.
(2) Sah C.T.: "Fundamentals of Solid State Electronics", World Scientific, 1991
(3) Shur M.: "Physics of semiconductor devices", Prentice Hall, 1990
(4) Tsividis Y.P.: "Operation and Modelling of the MOS Transistor", McGraw Hill,1987.
(5) Seec: "Electrónica Física y Modelos de Circuitos con Transistor. Tomo 2", Reverte.
(6) "Electrónica I (Física)", UNED.
(7) "Dispositivos Electrónicos: Problemas Resueltos", Roldán Aranda, J.B., Gámiz, F.J.
Editorial Ra-Ma. 2100. ISBN:84-7897-470-9
Conocimientos Previos Recomendados:
- Asignatura: "Microelectrónica"