DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS INTEGRADOS DE MICROONDAS

PROGRAMA DE TEORÍA            BIBLIOGRAFÍA            CONOCIMIENTOS PREVIOS

PROGRAMA  DE TEORÍA

I. INTRODUCCIÓN

II. DISPOSITIVOS ESPECÍFICOS DE MICROONDAS

ELEMENTOS PASIVOS DE CIRCUITOS MONOLÍTICOS

            Configuraciones y modelos.

ELEMENTOS ACTIVOS DE DOS TERMINALES

            Diodo túnel. Diodo IMPATT. Diodo Gunn

TRANSISTORES. MESFET DE GaAs. TRANSISTOR BIPOLAR DE HETEROUNIÓN (HBT). TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE MODULACIÓN DEL DOPADO (MODFET). 

            Tecnología de fabricación. Principio de operación y modelos. Ruido. Caracterización de transistores: baja y alta frecuencia. Configuraciones de polarización.

III. DISEÑO DE CIRCUITOS DE MICROONDAS

INTRODUCCIÓN A LA CARACTERIZACIÓN DE REDES

            Parámetros S, diagramas de flujo, regla de Mason. Aplicación a los transistores de microondas

DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE ALTA FRECUENCIA

            Estabilidad, ganancia y figura de ruido.

            Ejemplos de diseño

            Herramientas de ayuda al diseño

CIRCUITOS ANALÓGICOS NO LINEALES

CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN Y CONTROL

BIBLIOGRAFÍA

1.- Soares, R.: "GaAs MESFET Circuit Design". Artech House, 1988.

2.- Sze S. M.: "Semiconductor Devices. Physics and Technology". John Wiley & Sons, 1985.

3.- Medley M. W.: "Microwave and RF Circuits. Analysis, synthesis and design". Artech House, 1993.

4.- A. Sweet: "MIC & MMIC amplifier and oscillator circuit design". Artech House, 1990.