Introducción a los dispositivos electrónicos de potencia

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Indice

Introducción
Semiconductores de alta potencia
Módulos de potencia
Semiconductores de baja potencia
Aplicaciones generales: evolución práctica

Introducción

Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, así como otros derivados de éstos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunión o UJT, el transistor uniunión programable o PUT y el diodo Shockley.

Existen tiristores de características especiales como los fototiristores, los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO).

Lo más importante a considerar de estos dispositivos, es la curva característica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la caída de tensión entre los electrodos principales.

El componente básico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos :

El último requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habrá una mayor disipación de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.


Ahora veremos los tres bloques básicos de semiconductores de potencia y sus aplicaciones fundamentales:

Semiconductores de alta potencia

Dispositivo Intensidad máxima
Rectificadores estándar o rápidos 50 a 4800 Amperios
Transistores de potencia 5 a 400 Amperios
Tiristores estándar o rápidos 40 a 2300 Amperios
GTO 300 a 3000 Amperios

Aplicaciones :

Módulos de potencia

Dispositivo Intensidad máxima
Módulos de transistores 5 a 600 A. 1600 V.
SCR / módulos rectificadores 20 a 300 A. 2400 V.
Módulos GTO 100 a 200 A. 1200 V.
IGBT 50 a 300A. 1400V.
Aplicaciones :

Semiconductores de baja potencia

Dispositivo Intensidad máxima
SCR 0'8 a 40 A. 1200 V.
Triac 0'8 a 40 A. 800 V
Mosfet 2 a 40 A. 900 V.
Aplicaciones :

Aplicaciones generales: evolución práctica


[Bibliografía]
J. Domingo Aguilar Peña: jaguilar@ujaen.es
Miguel Ángel Montejo Ráez: radastan@swin.net